TSV關鍵技術突破 3D IC應用動能轉強

作者: 施建宇 / 陳冠能
2014 年 09 月 29 日
採用矽穿孔(TSV)技術的3D IC種類將快速增加。近來國際大廠爭相投注資源於矽穿孔技術研發,並逐步克服製程開發挑戰,為實現3D IC異質元件整合增添強大助力,可望將3D IC的應用由現今CMOS影像感測器擴大至更多領域。
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